Горев, Н.Б.; Коджеспирова, И.Ф.; Привалов, Е.Н.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.