Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Нетяга, В.В.; Заслонкин, А.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.