Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

dc.contributor.author	Андронова, Е.В.
dc.contributor.author	Курак, В.В.
dc.date.accessioned	2014-01-04T18:14:13Z
dc.date.available	2014-01-04T18:14:13Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев / Е.В. Андронова, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 41-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52537
dc.description.abstract	Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смеси на основе неорганических кислот.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев	uk_UA
dc.title.alternative	Передепітаксійна обробка підкладок GaSb для рідкофазного вирощування гомоепітаксійних шарів	uk_UA
dc.title.alternative	Preepitaxial substrate treatment of GaSb for liquid phase technology homoepitaxial growth	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA