Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

dc.contributor.author	Краснов, В.А.
dc.contributor.author	Шварц, Ю.М.
dc.contributor.author	Шварц, М.М.
dc.contributor.author	Копко, Д.П.
dc.contributor.author	Ерохин, С.Ю.
dc.contributor.author	Фонкич, А.М.
dc.contributor.author	Шутов, С.В.
dc.contributor.author	Сыпко, Н.И.
dc.date.accessioned	2014-01-04T18:11:57Z
dc.date.available	2014-01-04T18:11:57Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52536
dc.description.abstract	Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження термометричних характеристик GaP-діодів p⁺–n-типу	uk_UA
dc.title.alternative	Investigation of thermometrical characteristics of p⁺–n-GaP diodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA