Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

dc.contributor.author	Воронин, В.А.
dc.contributor.author	Губа, С.К.
dc.contributor.author	Курило, И.В.
dc.date.accessioned	2014-01-03T23:10:53Z
dc.date.available	2014-01-03T23:10:53Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52486
dc.description.abstract	Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V	uk_UA
dc.title.alternative	Хімічне осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V	uk_UA
dc.title.alternative	Chemical deposition from gas phase of the hetero- and nanostructures of III-V compounds	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA