Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

dc.contributor.author	Горбань, А.Н.
dc.contributor.author	Кравчина, В.В.
dc.contributor.author	Гомольский, Д.М.
dc.contributor.author	Солодовник, А.И.
dc.date.accessioned	2014-01-01T17:31:06Z
dc.date.available	2014-01-01T17:31:06Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52426
dc.description.abstract	Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов	uk_UA
dc.title.alternative	Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів	uk_UA
dc.title.alternative	Specifies of the formed fast cover silica diodes	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA