Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

dc.contributor.author	Иванчиков, А.Э.
dc.contributor.author	Кисель, А.М.
dc.contributor.author	Медведева, А.Б.
dc.contributor.author	Плебанович, В.И.
dc.date.accessioned	2013-12-30T23:11:32Z
dc.date.available	2013-12-30T23:11:32Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52392
dc.description.abstract	Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния	uk_UA
dc.title.alternative	Методи видалення дефектів, що виникають при рідинному травленні поверхні полікристалічного кремнію	uk_UA
dc.title.alternative	Methods of removal of defects arising at liquid etching of polycrystalline silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA