Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs

dc.contributor.author	Мелебаев, Д.
dc.contributor.author	Мелебаева, Г.Д.
dc.contributor.author	Рудь, Ю.В.
dc.contributor.author	Рудь, В.Ю.
dc.date.accessioned	2013-12-30T23:04:49Z
dc.date.available	2013-12-30T23:04:49Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52390
dc.description.abstract	Установлено, что фоточувствительные структуры Ni–n–GaAs при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля практически не реагируют на свет в фаулеровской области спектра hv=0,9...1,25 эВ.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Спектри фоточутливості поверхнево-бар'єрних структур Ni–n–GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Photosensitivity spectrums of Ni–n–GaAs surface-barrier structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA