Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Саидова, Р.А.
dc.contributor.author	Гиясова, Ф.А.
dc.date.accessioned	2013-12-30T22:57:34Z
dc.date.available	2013-12-30T22:57:34Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52389
dc.description.abstract	Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта	uk_UA
dc.title.alternative	Аномальний фотовольтаїчний ефект у структурі з бар'єром Шотткі-Мотта	uk_UA
dc.title.alternative	Abnormal photovoltaic effect in structure with a barrier Shottky-Mott's	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA