Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Абдулхаев, О.А.
dc.contributor.author	Гиясова, Ф.А.
dc.contributor.author	Назаров, Ж.Т.
dc.date.accessioned	2013-12-29T22:07:25Z
dc.date.available	2013-12-29T22:07:25Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Ф.А. Гиясова, Ж.Т. Назаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 31-34. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52327
dc.description.abstract	Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура	uk_UA
dc.title.alternative	Багатофункціональна гомоперехідна аренід-галієва n-p-m-структура	uk_UA
dc.title.alternative	Multifunctional homojunction gallium arsenide n-p-m-structure	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA