Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Якубов, Э.Н.
dc.date.accessioned	2013-12-29T17:24:32Z
dc.date.available	2013-12-29T17:24:32Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313
dc.description.abstract	Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).	uk_UA
dc.description.abstract	Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.·	uk_UA
dc.description.abstract	The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания	uk_UA
dc.title.alternative	Кореляція параметрів арсенiд-галієвих епітаксійних шарів і технології їх вирощування	uk_UA
dc.title.alternative	The correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth's process	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA