Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

dc.contributor.author	Горев, Н.Б.
dc.contributor.author	Коджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.author	Привалов, Е.Н.
dc.date.accessioned	2013-12-29T17:12:11Z
dc.date.available	2013-12-29T17:12:11Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52309
dc.description.abstract	Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.	uk_UA
dc.description.abstract	Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.·	uk_UA
dc.description.abstract	It is shown that capacitance voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring AC voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Вольт-фарадні вимірювання в тонкоплівкових епітаксіальних структурах GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Capacitance-voltage measurements in GaAs thin-film epitaxial structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA