Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Дружинин, А.А. |
|
dc.contributor.author |
Голота, В.И. |
|
dc.contributor.author |
Когут, И.Т. |
|
dc.contributor.author |
Ховерко, Ю.Н. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-29T17:08:52Z |
|
dc.date.available |
2013-12-29T17:08:52Z |
|
dc.date.issued |
2009 |
|
dc.identifier.citation |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 20-25. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52308 |
|
dc.description.abstract |
Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Показано приклади приладних елементів для мікросистемних застосувань, які сформовані на локальній тривимірній КНІ-структурі. Встановлено область застосування компактної EKV-моделі МОН-транзистора для розрахунку характеристик КНІ МОН-транзисторів. Порівнюються розрахункові і експериментальні вихідні характеристики КНІ МОН-транзистора, в якому підканальна область з.єднана із витоком. Розроблено схему керування кремнієвим мікрокатодом, яка забезпечує лінійну зміну автоемісійних струмів при фіксованій напрузі на електродах. Розроблено топологію мікрокатода, інтегрованого зі схемою керування, яку можна тиражувати в матриці великих розмірів.· |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Examples of device elements for microsystems, developed on local three-dimensional structure are shown. The application area of compact EKV models of the MOS transistor for calculation of SOI MOS-transistors characteristics has been established. The calculated and experimental output characteristics of the SOI MOS-transistor, in which the under channel area is connected to a source, have been compared. The control circuits of the silicon microcathode, providing linear change of field emission currents at the fixed voltage on electrodes have been developed. The layout of the microcathode, integrated with the control circuit, which can be multiplicated into large size matrixes have been designed. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
uk_UA |
dc.title |
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Розробка схеми і топології елементів матриці керованих автоемісійних кремнієвих мікрокатодів |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Development of the circuit and layout of elements of an operated field emission silicon microcathodes matrix |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті