Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов

dc.contributor.author	Попов, В.М.
dc.contributor.author	Шустов, Ю.М.
dc.contributor.author	Клименко, А.С.
dc.contributor.author	Поканевич, А.П.
dc.date.accessioned	2013-12-28T00:16:13Z
dc.date.available	2013-12-28T00:16:13Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов / В.М. Попов, Ю.М. Шустов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 48-51. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52098
dc.description.abstract	Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3,6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) в приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, досягаючи максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні.	uk_UA
dc.description.abstract	The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by lowenergy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив опромінення кремнію низькоенергетичними іонами аргону на утворення у ньому електрично активних дефектів	uk_UA
dc.title.alternative	The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA