Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

dc.contributor.author	Перевертайло, В.Л.
dc.date.accessioned	2013-12-22T00:40:45Z
dc.date.available	2013-12-22T00:40:45Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51980
dc.description.abstract	Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения.	uk_UA
dc.description.abstract	Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах.	uk_UA
dc.description.abstract	The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Сенсоэлектроника	uk_UA
dc.title	Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов	uk_UA
dc.title.alternative	Датчики інтегральної поглинутої дози іонізувального випромінювання на основі МОН-транзисторів	uk_UA
dc.title.alternative	Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on MOSFET	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA