Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Рева, В.П. |
|
dc.contributor.author |
Голенков, А.Г. |
|
dc.contributor.author |
Забудский, В.В. |
|
dc.contributor.author |
Коринец, С.В. |
|
dc.contributor.author |
Цибрий, З.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Гуменюк-Сычевская, Ж.В. |
|
dc.contributor.author |
Бунчук, С.Г. |
|
dc.contributor.author |
Апатская, М.В. |
|
dc.contributor.author |
Лысюк, И.А. |
|
dc.contributor.author |
Смолий М.И. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-21T00:50:51Z |
|
dc.date.available |
2013-12-21T00:50:51Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов / В.П. Рева, А.Г. Голенков, В.В. Забудский, С.В. Коринец, З.Ф. Цибрий, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.Г. Бунчук, М.В. Апатская, И.А. Лысюк, М.И. Смолий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 24-28. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51963 |
|
dc.description.abstract |
Приемник может быть использован в системах с высокой разрешающей способностью по температуре. Среднее значение температуры излучения, эквивалентной шуму, составляет 20±4мК. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Представлено результати досліджень розробленого тепловізійного приймача (ТП) для середнього інфрачервоного діапазону спектру (3—5 мкм), обговорено особливості його застосування. До складу ТП входить охолоджуваний до температури рідкого азоту матричний фотоприймальний пристрій формату 128x128 на основі CdHgTe-фотодіодів і криостат із системою контролю температури. Фотоприймальну матрицю з'єднано індієвими контактами зі схемою зчитування — кремнієвим фокальним процесором. Середнє значення температури випромінювання, еквівалентної шуму, складало 20±4мК (температура фонового випромінювання Т=300 К, кут зору 2θ=180°, холодна діафрагма не застосовувалась). |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The results of investigation of developed thermal imager for middle (3-5 µm) infrared region are presented and its applications features are discussed. The thermal imager consists of cooled to 80 K 128×128 diodes focal plane array on the base of cadmium-mercury-telluride compound and cryostat with temperature checking system. The photodiode array is bonded with readout device (silicon focal processor) via indium microcontacts. The measured average value of noise equivalent temperature difference was NETD= 20±4 mK (background radiation temperature T = 300 K, field of view 2θ = 180°, the cooled diaphragm was not used). |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Электронные средства: исследования, разработки |
uk_UA |
dc.title |
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Тепловізор на основі матричного фотоприймально-го приладу з 128×128 CdHgTe-фотодіодів |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Thermal imager based on the array light sensor device of 128×128 CdHgTe-photodiodes |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті