Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Перевертайло, В.Л. |
|
dc.contributor.author |
Добровольский, Ю.Г. |
|
dc.contributor.author |
Попов, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Поканевич, А.П. |
|
dc.contributor.author |
Мацкевич, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Рыжиков, В.Д. |
|
dc.contributor.author |
Шабашкевич, Б.Г. |
|
dc.contributor.author |
Юрьев, В.Г. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-15T22:18:05Z |
|
dc.date.available |
2013-12-15T22:18:05Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка / В.Л. Перевертайло, Ю.Г. Добровольский, В.М. Попов, А.П. Поканевич, В.М. Мацкевич, В.Д. Рыжиков, Б.Г. Шабашкевич, В.Г. Юрьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 17-21. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51903 |
|
dc.description.abstract |
Исследования электрофизических и фотоэлектрических характеристик разработанных фотодиодов Шоттки на основе Nі.ZnSe(Te,O)-Іn показали, что они могут быть применены в приборах для радиометрии и дозиметрии УФ-излучения. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Техническая политика |
uk_UA |
dc.title |
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Фотодіод ультрафіолетового діапазону на основі селеніду цинку |
uk_UA |
dc.title.alternative |
The photodiode of UV-range on the basis of ZnSe |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті