Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

dc.contributor.author	Попов, В.М.
dc.contributor.author	Клименко, А.С.
dc.contributor.author	Поканевич, А.П.
dc.contributor.author	Шустов, Ю.М.
dc.date.accessioned	2013-12-14T21:37:44Z
dc.date.available	2013-12-14T21:37:44Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич, Ю.М. Шустов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51890
dc.description.abstract	С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA