Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Ёдгорова, Д.М.
dc.date.accessioned 2013-12-14T21:10:48Z
dc.date.available 2013-12-14T21:10:48Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 3-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51881
dc.description.abstract Произведена оценка коэффициента фотоэлектрического усиления по току двухбарьерной фотодиодной Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структуры. Такие структуры, обладая свойством усилителя, представляют интерес для создания устройств приема оптических сигналов. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Электронные средства: исследования, разработки uk_UA
dc.title Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис