Перевертайло, В.Л.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения.