Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

Abstract

Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса.

Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-n переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує витримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити допустиму потужність діодної структури.

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p⁺–p–n⁺-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p⁺–p–n⁺-structure by 30%.