Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Рубцевич, И.И.
dc.contributor.author Соловьев, Я.А.
dc.contributor.author Высоцкий, В.Б.
dc.contributor.author Дудкин, А.И.
dc.contributor.author Ковальчук, Н.С.
dc.date.accessioned 2013-12-11T23:55:52Z
dc.date.available 2013-12-11T23:55:52Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51834
dc.description.abstract Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. uk_UA
dc.description.abstract Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень. uk_UA
dc.description.abstract The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Материалы электроники uk_UA
dc.title Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку uk_UA
dc.title.alternative Дослідження властивостей плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом плазмохімічного осадження на кремнієву підкладку uk_UA
dc.title.alternative Investigation of properties of nitride and silicon oxide films grown by plasma-chemical deposition on a silicon substrate uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис