Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

dc.contributor.author	Горбань, А.Н.
dc.contributor.author	Кравчина, В.В.
dc.date.accessioned	2013-12-11T19:02:53Z
dc.date.available	2013-12-11T19:02:53Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818
dc.description.abstract	Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.	uk_UA
dc.description.abstract	Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц.	uk_UA
dc.description.abstract	The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС	uk_UA
dc.title.alternative	Розробка конструкції та технології виготовления комплементарних транзисторів для радіаційно стійких	uk_UA
dc.title.alternative	Development of a construction and manufacturing techniques of complementary transistors for the radiation tolerant integrated circuits	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA