Добровольский, Ю.Г.; Ащеулов, А.А.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 ...