Горбань, А.Н.; Кравчина, В.В.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.