Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Катрунов, К.А. |
|
dc.contributor.author |
Лалаянц, А.И. |
|
dc.contributor.author |
Гальчинецкий, Л.П. |
|
dc.contributor.author |
Старжинский, Н.Г. |
|
dc.contributor.author |
Жуков, А.В. |
|
dc.contributor.author |
Галкин, С.Н. |
|
dc.contributor.author |
Брылёва, Е. |
|
dc.contributor.author |
Зеня, И.М. |
|
dc.contributor.author |
Трубаева, О.Г. |
|
dc.date.accessioned |
2013-12-08T02:10:36Z |
|
dc.date.available |
2013-12-08T02:10:36Z |
|
dc.date.issued |
2011 |
|
dc.identifier.citation |
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения / К.А. Катрунов, А.И. Лалаянц, Л.П. Гальчинецкий, Н.Г. Старжинский, А.В. Жуков, С.Н. Галкин, Е. Брылёва, И.М. Зеня, О.Г. Трубаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 60-64. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51767 |
|
dc.description.abstract |
Изучен процесс образования твердого раствора при спекании порошков ZnS и ZnTe, подобраны оптимальные соотношения исходных компонентов и режим синтеза, изучено влияние дополнительной термообработки на люминесцентные и сцинтилляционные свойства полученных материалов. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Визначено оптимальний технологічний режим утворення твердого розчину ZnS1–xTex у зоні 0,0 ≤ х ≤ 0,1. Показано, що використання водню при спіканні порошків призводить до більш ефективного утворення твердого розчину, завдяки протіканню хімічних реакцій, що призводять до руйнування шару ZnO. Подальший відпал в атмосфері Ar спричиняє збільшення світлового виходу, формування нової полоси випромінювання, зниження рівня післясвітіння та перебудову грат. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The optimal technological regime of formation ZnS1–xTex solid solution at spacing 0,0 ≤ х ≤ 0,1 has been determined, and has been shown that fritting in hydrogen atmosphere results in more rapid reaction in comparison to argon due to chemical-thermal etching the ZnO layer out. Further annealing in the inert Ar atmosphere leads to the increase of the light output, to the intensive emission band formation and causes afterglow level reduction and the crystalline lattice rearrangement. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Материалы электроники |
uk_UA |
dc.title |
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Ефективні сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnS1–xTex та перспективи їх застосування |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Effective scintillation materials based on solid solutions ZnS1–xTex and perspectives of their application |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті