Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников

Abstract

Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов.

Представлено результати експериментальних і теоретичних досліджень реактора для плазмово-хімічного травлення напівпровідникових матеріалів на базі ВЧ ємнісного розряду з асиметричними електродами. Отримано криві запалювання та області існування розряду для різних робочих газів (аргон, фреон, кисень). Знайдено залежності постійної напруги автозсуѕу від ВЧ-напруги, що подається на електрод. Виміряно радіальні профілі щільності струму іонів на оброблювану поверхню та їх поводження при зміні параметрів розряду для різних газів. Проведено порівняння отриманих результатів з розрахунками, виконаними з використанням двовимірної математичної моделі OOPІC.

Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC selfbias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behavior with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code.