Кудринский, З.Р.; Ковалюк, З.Д.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, ...