Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Конорева, О.В.
dc.contributor.author Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author Опилат, В.Я.
dc.contributor.author Гришин, Ю. Г.
dc.contributor.author Петренко, I.В.
dc.contributor.author Пiнковська, М.Б.
dc.contributor.author Тартачник, В.П.
dc.date.accessioned 2009-07-16T08:24:01Z
dc.date.available 2009-07-16T08:24:01Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами / О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, I.В. Петренко, М.Б. Пiнковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2008. — № 3. — С. 71-76. — Бібліогр.: 9 назв. — укp. en_US
dc.identifier.issn 1025-6415
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/4125
dc.description.abstract GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels. en_US
dc.language.iso uk en_US
dc.publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України en_US
dc.subject Фізика en_US
dc.title Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами en_US
dc.type Article en_US
dc.status published earlier en_US
dc.identifier.udc 538.935


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис