Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

dc.contributor.author	Житарюк, В.Г.
dc.contributor.author	Годованюк, В.М.
dc.contributor.author	Докторович, І.В.
dc.date.accessioned	2012-04-14T19:38:19Z
dc.date.available	2012-04-14T19:38:19Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.	uk_UA
dc.identifier.issn	1681-7893
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32230
dc.description.abstract	Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.	uk_UA
dc.description.abstract	Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
dc.subject	Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях	uk_UA
dc.title	Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	537.611