Photoluminescence of undoped and Yb-doped GaS single crystals irradiated with γ-quanta

Abstract

The infuence of γ-radiation with a dose Dγ = 140 krad on the photoluminescence of Yb-doped GaS single crystals was investigated. Based on the analysis of the experimental results, it is concluded that the doping of the rare-earth element Yb and γ-radiation leads to an increase in the intensity of photoluminescence radiation in GaS.

Досліджувався вплив γ-випромінювання з дозою Dγ = 140 крад на фотолюмінесценцію монокристалів GaS, легованих Yb. На основі аналізу експериментальних результатів робляться висновки, що при легуванні домішками редкоземельного елемента Yb і γ-випромінювань інтенсивність фотолюмінесцентного випромінювання в GaS збільшується.

Исследовалось влияние γ-излучения с дозой Dγ=140 крад на фотолюминесценцию монокристаллов GaS, легированных Yb. На основе анализа экспериментальных результатов делаются выводы, что при легировании примесями редкоземельного элемента Yb и γ-излучений интенсивность фотолюминесцентного излучения в GaS увеличивается.