Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії

Abstract

Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем.

Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed.