Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅

Abstract

Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с ростом фотопотенциала электродов и уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы полученных поликристаллических пленок в фотоэлектрохимической системе с гидридобразующими сплавами типа АВ₅ в условиях природной инсоляции.

Вивчено фотоелектрохімічні властивості напівпровідникових плівок на основі CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Показано, що ефективність фотоперетворення збільшується після модифікування поверхні напівпровідникових плівок цинком. Проаналізовано причини зростання ефективності фотоперетворення на модифікованих CdSe- та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-електродах. Вивчено ефективність сумісної роботи полікристалічних плівок з гідридоутворюючими сплавами типу АВ₅ у фотоелектрохімічній комірці. Отримана ефективність перетворення світла складає 4 %.

Photoelectrochemical properties of semiconductor films on the basis of CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ are studied. It is shown that efficiency of phototransformation increases after modifying of a surface of semi-conductor films for Zn. The reasons of increase in efficiency of photoconversion on modified CdSe-electrodes are analyzed. Efficiency of teamwork of polycrystalline films CdSe with metal hydride alloys of type AB₅ in a photoelectrochemical cell is studied. Efficiency of transformation of a sunlight of 4 % is received.