Показати простий запис статті

dc.contributor.author Пукас, С.Я.
dc.contributor.author Черни, Р.
dc.contributor.author Маняко, М.Б.
dc.contributor.author Гладишевський, Р.Є.
dc.date.accessioned 2022-10-24T07:56:56Z
dc.date.available 2022-10-24T07:56:56Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 0041–6045
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/185861
dc.description.abstract У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) та ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональна структура типу α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ розшифровано методом монокристалу; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr₄Al₃Ge₃, однак характеризується розщепленням двох із п’яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильним системам точок. uk_UA
dc.description.abstract В системе Er—Ga—Si синтезированы три новые тройные соединения. Методом рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлена структура соединения ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (вариант упорядочения ромбического типа α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) и ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональная структура типа α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристаллическая структура соединения Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ решена методом монокристалла; она принадлежит к собственному ромбическому типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Этот структурный тип родственный типу Pr₄Al₃Ge₃, но характеризуется расщеплением двух из пяти положений атомов и иным распределением атомов p-элементов по правильным системам точек. uk_UA
dc.description.abstract Three new ternary compounds have been synthesized in the Er—Ga—Si system. The crystal structures of the compounds ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (ordering variant of the orthorhombic structure type α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) nm) and ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (tetragonal structure type α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2 nm) were established by means of X-ray powder diffraction. The crystal structure of the compound Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ was solved by the single-crystal method; it belongs to own orthorhombic type (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) nm). This structure type is closely related to the type Pr₄Al₃Ge₃, but is characterized by a split of two from five atom sites and a different distribution of the atoms of the p-elements in Wyckoff positions. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Украинский химический журнал
dc.subject Неорганическая и физическая химия uk_UA
dc.title Новi сполуки в системi Er—Ga—Si uk_UA
dc.title.alternative Новые соединения в системе Er—Ga—Si uk_UA
dc.title.alternative New ternary compounds in the Er—Ga—Si system uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 548.736.4


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис