Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Вьюнов, О.И.
dc.contributor.author Дурилин, Д.A.
dc.contributor.author Коваленко, Л.Л.
dc.contributor.author Белоус, А.Г.
dc.date.accessioned 2022-10-09T08:27:47Z
dc.date.available 2022-10-09T08:27:47Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Влияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция / О.И. Вьюнов, Д.A. Дурилин, Л.Л. Коваленко, А.Г. Белоус // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 8. — С. 76-80. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0041–6045
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/185758
dc.description.abstract Получена сегнетоэлектрическая полупроводниковая керамика на основе метатитаната бария-стронция с добавкой нитрида бора, изучены ее микроструктура и электрофизические свойства. Определены концентрационные пределы стронция и нитрида бора, в которых керамика является низкоомной и проявляет эффект положительного температурного коэффициента сопротивления при относительно низкой температуре (≈ 60—70 °С). Исследована зависимость электрофизических свойств от химического состава синтезированной керамики. uk_UA
dc.description.abstract Отримано сегнетоелектричну напівпровідникову кераміку на основі метатитанату барію-стронцію з домішкою нітриду бору, вивчені її мікроструктура та електрофізичні властивості. Досліджено концентраційні межі стронцію та нітриду бору, в яких кераміка є низькоомною і проявляє ефект позитивного температурного коефіцієнта опору при відносно низькій температурі (≈ 60—70 °С). uk_UA
dc.description.abstract Ferroelectrics-semiconductors based on barium-strontium titanate doped with boron nitride have been synthesized. Microstructure and electrophysical properties of synthesized ceramics have been studied. Concentration ranges of strontium and boron nitride, within which ceramics have low resistivity at room temperature and positive temperature coefficient of resistivity in the temperature range above Т ≈ 60—70 °С, have been determined. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Украинский химический журнал
dc.subject Неорганическая и физическая химия uk_UA
dc.title Влияние добавки нитрида бора на образование и свойства сегнетоэлектрической полупроводниковой керамики на основе метатитаната бария–стронция uk_UA
dc.title.alternative Вплив добавки нітриду бору на утворення та властивості сегнетоелектричної напівпровідникової кераміки на основі метатитанату барію–стронцію uk_UA
dc.title.alternative Effect of boron nitride on formation and properties of ferroelectric semiconductor ceramic based on barium–strontium metatitanate uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.315.592:54-185


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис