Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Фреїк, Д.М. |
|
dc.contributor.author |
Бойчук, В.М. |
|
dc.contributor.author |
Межиловська, Л.Й. |
|
dc.date.accessioned |
2022-04-22T17:35:50Z |
|
dc.date.available |
2022-04-22T17:35:50Z |
|
dc.date.issued |
2005 |
|
dc.identifier.citation |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0041–6045 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888 |
|
dc.description.abstract |
З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
С позиции спонтанной диссоциации примеси галлия 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ в теллуриде свинца предложены кристаллоквазихимические уравнения, описывающие образование атомных дефектов. Показано, что на начальных этапах легирования реализуется механизм замещения галлием вакансий свинца GaPb³⁺. Глубокое легирование обусловливает образование межузлового галлия Gai³⁺ в тетраполостях подрешетки теллура с последующим образованием новой фазы Ga₂Te₃. Стабилизация уровня Ферми и, соответственно, концентрации электронов связана с образованием GaPb¹⁺ на двух этапах легирования. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The crystal-quasichemical equation, that describe the formation of atomic defects from position of spontaneous dissociation of admixture of gallium 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ at the lead tellurides are offered. It is shown, that on the initial stages of alloying the substitution mechanism by gallium of vacancies of the lead GaPb³⁺ will be realized. The deep alloying stipulates formation of interlattice of gallium Gai³⁺ in tetraspaces sublattice of tellurium with a next formation of a new phase Ga₂Te₃. The stabilization of Fermi level and, accordingly, the concentration of electrons was related with GaPb¹⁺ formation on the both stages of alloying. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Украинский химический журнал |
|
dc.subject |
Неорганическая и физическая химия |
uk_UA |
dc.title |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Зарядовое состояние галлия и механизмы образования атомных дефектов в кристаллах PbTe : Ga |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Charge state of gallium and atomic defects formation mechanisms in PbTe:Ga crystals |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
546.541.12.017+54.04:681 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті