Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Васько, А.Т. |
|
dc.contributor.author |
Циковкин, Е.М. |
|
dc.contributor.author |
Краснов, Ю.С. |
|
dc.date.accessioned |
2022-01-02T17:31:47Z |
|
dc.date.available |
2022-01-02T17:31:47Z |
|
dc.date.issued |
1983 |
|
dc.identifier.citation |
Применение метода лазерной интерферометрии для определения скорости роста тонких пленок CdSe в процессе электролиза / А.Т. Васько, Е.М. Циковкин, Ю.С. Краснов // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 2. — С. 156-159. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0041–6045 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/182419 |
|
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Украинский химический журнал |
|
dc.subject |
Электрохимия |
uk_UA |
dc.title |
Применение метода лазерной интерферометрии для определения скорости роста тонких пленок CdSe в процессе электролиза |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Application of the Method of Laser Interferometry for Determining the Growth Rate of Thin CdSe Films in Electrolysis |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
535.417:541.135:546.23. |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті