Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Гуревич, А.В.
dc.contributor.author Пащицкий, Э.А.
dc.date.accessioned 2021-02-06T19:40:31Z
dc.date.available 2021-02-06T19:40:31Z
dc.date.issued 1998
dc.identifier.citation О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников / А.В. Гуревич, Э.А. Пашицкий // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 11. — С. 1058-1062. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176685
dc.description.abstract Показано, что скопления краевых дислокаций с параллельными векторами Бюргерса в плоскости скольжения могут приводить к существенным локальным изменениям критической температуры Tc в деформированных кристаллах высокотемпературных сверхпроводников вследствие перераспределения свободных носителей тока в полях упругой деформации ионной кристаллической решетки и сильной немонотонной зависимости Tc от концентрации носителей, если линейные размеры дислокационных скоплений значительно превышают длину когерентности и радиус экранирования. uk_UA
dc.description.abstract Показано, що скупчення крайових дислокацій з паралельними векторами Бюргерса у площині проковзування можуть призводити до суттєвих локальних змін критичної температури Тс у деформованих кристалах високотемпературних надпровідників внаслідок перерозподілу вільних носіїв струму в полях пружної деформації іонної кристалічної гратки та сильної немонотонно!' залежності Т від концентрації носіїв, якщо лінійні розміри дислокаційних скупчень значно перевищують довжину когерентності та радіус екранування зарядів. uk_UA
dc.description.abstract It is shown that arrays of edge dislocations with parallel Burgers vectors in the slip plane can lead to significant local changes in the transition temperature Tc of the deformed crystals of high-temperature superconductors. These changes are due to the redistribution of free charge carriers in the elastic strain fields of the ionic crystal lattice and a strong nonmonotonic dependence of Tc on the concentration of charge carriers if the characteristic length of dislocation arrays is much larger than the coherence length and screening radius. uk_UA
dc.description.sponsorship Настоящая работа посвящена 70-летию чл.-корр. НАН Украины Арнольда Марковича Косевича, чьи классические работы по теории дислокаций широко известны. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная uk_UA
dc.title О влиянии дислокационных скоплений на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников uk_UA
dc.title.alternative On the effect of dislocation arrays on the superconducting transition temperature in HTSC uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc PACS: 74.72.-h


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис