Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Электронный спектр и критическая температура высокотемпературных сверхпроводников с несколькими купратными слоями в ячейке

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Горбар, Э.В.
dc.contributor.author Локтев, В.М.
dc.contributor.author Шарапов, С.Г.
dc.date.accessioned 2021-02-02T18:18:43Z
dc.date.available 2021-02-02T18:18:43Z
dc.date.issued 1995
dc.identifier.citation Электронный спектр и критическая температура высокотемпературных сверхпроводников с несколькими купратными слоями в ячейке / Э.В. Горбар, В.М. Локтев, С.Г. Шарапов // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 4. — С. 421-430. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175745
dc.description.abstract Исходя из модельного микроскопического лагранжиана многослойной системы ферми-частиц с притяжением получены уравнения для определения сверхпроводящих щелей, критической температуры Тс и химического потенциала как функций концентрации носителей и числа слоев мультислойного металла. Показано, что по мере заполнения зон свободных носителей на соответствующих зависимостях возможно появление участков с достаточно резким возрастанием величины щелей и Тс по мере увеличения плотности носителей в системе. При этом в системе сосуществуют куперовские и локальные пары носителей, что является причиной немонотонного роста Тс многослойного проводника; последнее наблюдается, например, в бислойном соединении YВа₂Сu₃O₆₊δ при изменении δ. uk_UA
dc.description.abstract Виходячи із модельного мікроскопічного лагранжіана багатошарової системи фермі-частинок з притяганням одержано рівняння для визначення надпровідних щілин, критичної температури Тс і хімічного потенціалу як функцій концентрації носіїв і числа шарів мультишарового металу. Показано, що по мірі заповнення зон вільних носіїв на відповідних залежностях можлива поява ділянок с достатньо різким зростанням величини щілин І Тс по мірі зростання густини носіїв в системі. При цьому в системі співіснують куперовські і локальні пари носіїв, що є причиною немонотонного зростання Тс багатошарового провідника; останнє спостерігається, наприклад, в бішаруватій сполуці YВа₂Сu₃O₆₊δ при зміні δ. uk_UA
dc.description.abstract Basing on the model microscopic Lagrangian of a multilayered system of fermi-particles with attraction, the equations for superconducting gaps, critical temperature Tc and chemical potential have been obtained for arbitrary carrier density and number of layers in the multilayeres metal. Cooper pairs coexist with local ones, which leads to a non-uniform growth of Tc of the multilayered conductor studied, for example, in the bilaye-red compaund YВа₂Сu₃O₆₊δ with changing δ. uk_UA
dc.description.sponsorship Мы выражаем признательность П. И. Фомину и участникам его семинара за обсуждение работы и критические замечания. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.title Электронный спектр и критическая температура высокотемпературных сверхпроводников с несколькими купратными слоями в ячейке uk_UA
dc.title.alternative Electronic spectrum and critical temperature of the HTSC with several cuprate layers in a cell uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 537.312.62; 539.14


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис