dc.contributor.author |
Фуголь, И.Я. |
|
dc.contributor.author |
Самоваров, В.Н. |
|
dc.contributor.author |
Либин, М.Ю. |
|
dc.date.accessioned |
2021-02-01T18:02:11Z |
|
dc.date.available |
2021-02-01T18:02:11Z |
|
dc.date.issued |
1995 |
|
dc.identifier.citation |
Влияние структурной неравновесности и температуры на фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ / И.Я. Фуголь, В.Н. Самоваров, М.Ю. Либин // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 5. — С. 523-531. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175559 |
|
dc.description.abstract |
В области низких температур Т < 125 К и при слабых световых потоках (~10¹³ фотон/см² • c) обнаружены сильные (~25%) фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ , нелинейно зависящие от времени облучения. Исследуются условия перехода нелинейных изменений пропускания к линейному закону. Анализ эффекта, основанный на взаимосвязи интенсивности оптических переходов с изменением концентрации электронов (дырок) в плоскости СuО₂ , позволил сделать выводы, что: критическим условием для эффективной фотонакачки носителей при слабых дозах облучения и при низких температурах является степень ортонеравновесности образца; в режиме нелинейных фотоиндуцированных изменений фотонакачка ускоряет релаксацию к равновесному ортоупорядочению в цепочках СuОх ; при фотодопировании световыми потоками выше порога металлизации работают одновременно два канала перехода электронов из СuО₂ в СuОх — один для фотоэлектронов, а другой для электронов с уровня Ферми плоскости СuО₂ . При 125 К в сильно накачанной пленке существует структурный переход порядок — беспорядок, при котором происходит сброс фотонакачанных электронов (дырок) при повышении температуры. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
В області низьких температур Т < 125 К та при слабких світлових струменях (~10¹³ фотон/см² • с) виявлено значні (~25%) фотоіндуковані зміни оптичного пропускання плівки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ , які нелінійно залежать від часу опромінення. Досліджено умови переходу нелінійних змін пропускання до лінійного закону. Аналіз ефекту, зроблений на підставі взаємозв’язку інтенсивності оптичних переходів із зміною концентрації електронів (дірок) в площині СuО₂ , дозволив прийти до висновків що: критичною умовою для ефективного фотонакачування носіїв при слабких дозах опромінення і низьких температурах є ступінь орто-нерівноважності зразка; в режимі нелінійних фотоіндукованих змін фотонакачування прискорює релаксацію до рівноважного ортовпорядкування в ланцюжках СuОх; при фотодопіруванні світловими струменями вище порога металізації працюють одночасно обидва канали переходу електронів з СuО₂ в СuОх — один для фотоелектронів, інший — для електронів з рівня Фермі площини СuО₂ . При 125 К в сильно накачаній плівці існує структурний перехід порядок — непорядок, при якому відбувається скид фотонакачаних електронів (дірок) при підвищенні температури. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Sharp (~25%) photoinduced changes in the optical transmission of the YBa₂Cu₃O₆,₃₅ film, which are non-linearly dependent on the irradiation time, are found at low temperatures, T < 125 K, and low light flows (~10¹³ photon/cm² • s). The conditions are studied under which the non-linear changes in transmission transform into a linear law. The analysis of the effect based on correlation between the optic transition intensity and the changing electron (hole) concentration in the СuО₂ plane permits the conclusion that (i) the degree of the sample ortho-nonequilibrium is the critical condition for effective photopumping of the carriers under low-dose irradiation at low temperatures, (ii) the photopumping enhances the relaxation to the equilibrium ortho-ordering in the CuOx chains under the condition of non-linear photoinduced changes, (iii) on photodoping with light flows above the metallization threshold, two channels of the electron transition from СuО₂ to СuОх are in simultaneous operation — one is for the photoelectrons and the other is for the electron from the Fermi level of the СuО₂ plane. At 125 K the heavily pumped film undergoes a structural order-disorder transition during which the pholopumped electrons (holes) are released as the temperature rises. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Авторы благодарны Г. Займан-Ищенко и Б. Хольцапфелю за предоставленный образец монокристаллической пленки и его полную характеристику. Мы также признательны С. А. Уютнову за помощь при проведении экспериментов. Выражаем благодарность П. А. Бахтину за поддержку работы. Работа выполнена в рамках научных программ Государственного комитета Украины по вопросам науки и технологий. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.title |
Влияние структурной неравновесности и температуры на фотоиндуцированные изменения оптического пропускания пленки YBa₂Cu₃O₆,₃₅ |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Effects of non-equilibrium structure and temperature on photoinduced changes in optical transmission of YBa₂Cu₃O₆,₃₅ film |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
538.945 |
|