Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. II. Релаксационные эффекты

Abstract

Показано, что форма линии электронной фокусировки (ЭФ) и ее тонкая структура в условиях протекания сильных эмиттерных токов отражает процессы релаксации электронов в области микроконтакта. На линии ЭФ в кристалле висмута идентифицирована релаксация сильно энергизованных электронов за счет испускания неравновесных фононов (преимущественно продольных оптических фононов) , а также выявлен эффективный релаксационный процесс, связанный с возбуждением в электронной системе коллективной колебательной моды с характерной энергией ~ 40 мэВ. Тонкая структура линии ЭФ отражает также интерференционные эффекты в электронном потоке, протекающем через микроконтакт.

Показано, що форма лінії електронної фокусировки (ЕФ) та її тонка структура в умовах протікання сильних емітерних струмів відображає процеси релаксації електронів в області мікроконтакту. На лінії ЕФ в кристалі вісмуту ідентифіковано релаксацію сильно енергізованих електронів за рахунок емісії нерівноважних фононів (переважно поздовжніх оптичних фононів), а також виявлено ефективний релаксаційний процес, зв'язаний з появою в електронній системі колективної коливальної моди з характерною енергією ~ 40 меВ. Тонка структура лінії ЕФ відображає також інтерференційні ефекти в електронному потоці, який протікає через мікроконтакт.

It is shown that the shape of the electron focusing (EF) line and its fine structure account for the electron relaxation processes in the point contact region. The features caused by relaxation of high nonequilibrium electrons due to emission of nonequilibrium phonons (mainly longitudinal optic phonons) are revealed on the EF line in Bi. Effective relaxation processes due to generation of the collective oscillatory mode of ~ 40 meV are observed. The fine structure of the EF line displays the interference effects in the electron flow through the point contact.