Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe

Abstract

Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анализ этих результатов показал, что магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe зависят от типа дефектов и дефектной структуры вещества. От дефектной структуры также зависит и проявление критических явлений в Hg₁₋xCrxSe.

Наведено результати експериментальних досліджень осциляцій Шубнікова--де Гааза на НВЧ, електрон- ного спінового резонансу, магнітної сприйнятливості, релаксаційних діелектричних втрат, а також результа- ти гальваномагнітних вимірювань у монокристалічних зразках Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe. Аналіз цих результатів довів, що магнітні та електронні властивості Hg₁₋xCrxSe та Hg₁₋xCoxSe залежать від типу дефектів і дефектної структури речовини. Від дефектної структури також залежить і проявлення критичних явищ у Hg₁₋xCrxSe.

The results of experimental investigations of the Shubnikov-de Haas oscillations at superhigh frequencies, electron spin resonance, magnetic susceptibility, relaxation dielectric losses, and galvanomagnetic measurements in the Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe single-crystal samples are presented. Analysis of the results has shown that the magnetic and electronic properties of Hg₁₋xCrxSe and Hg₁₋xCoxSe depend on the defect structure of the substance and the type of defects making this structure. The manifestation of critical phenomena in Hg₁₋xCrxSe also depends on the defect structure.