Пиннинг волн зарядовой плотности в монокристаллах NbSe₃

Abstract

Экспериментально исследовано влияние одноосного сжатия вдоль кристаллографической оси а на ВАХ монокристаллов NbSе₃ в состоянии волн зарядовой плотности (ВЗП) в области температур возникновения второго фазового перехода при 59 К. Показано, что увеличение давления приводит к росту пороговых полей Eth срыва ВЗП и увеличению энергии пиннинга εg . Проведено сравнение с существующими моделями туннелирования ВЗП.

Експериментально досліджено вплив одновісного стиснення вздовж кристалографічної осі а на ВАХ монокристалів NbSе₃ у стані хвиль зарядової густини (ХЗГ) в області температур виникнення другого фазового переходу при 59 К. Показано, що збільшення тиску призводить до зростання порогових полів Eth зриву ХЗГ та збільшення енергії піннінга εg. Проведено порівняння з існуючими моделями тунелювання ХЗГ.

The influence of uniaxial pressure along the crystallographic axis а on l-V characteristics of NbSе₃ single crystals at CDW state has been studied experimentally over the temperature region wherein the second phase transition takes place at 59 К. It is shown that the increasing pressure causes the growth of the threshold fields Eth and pinning energy εg. Comparison between the results obtained and existing CDW tunneling models is made.