Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Каширин, В.Ю. |
|
dc.contributor.author |
Комник, Ю.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Миронов, О.А. |
|
dc.contributor.author |
Макаровский, О.Н. |
|
dc.contributor.author |
Эмелеус, Ч.Дж. |
|
dc.contributor.author |
Волл, Т.Э. |
|
dc.date.accessioned |
2021-01-29T07:51:39Z |
|
dc.date.available |
2021-01-29T07:51:39Z |
|
dc.date.issued |
1996 |
|
dc.identifier.citation |
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174977 |
|
dc.description.abstract |
Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с эффектами слабой локализации электронов и электрон-электронного взаимодействия в двумерной системе. Определена температурная зависимость времени фазовой релаксации электронов, время спин-орбитальною взаимодействия и параметр λD электрон-электронного взаимодействия. Установлено, что уменьшение концентрации электронов в δ-слое сопровождается уменьшением параметра λD, что может быть объяснено особенностями процессов экранирования в двумерной электронной системе. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Вивчено температурні (в інтервалі 1,6-20 К) і магнітопольові (до 4,5 Тл) залежності провідності та ерс Холла для δ(Sb) -шарів в Si з різною холлівською концентрацією носіїв заряду. Показано, що ці залежності з великою точністю описуються квантовими поправками до провідності, зв'язаними з ефектами слабкої локалізації електронів та електрон-електронної взаємодії в двовимірній системі. Визначено температурну залежність часу фазової релаксації електронів, час спін-орбітальної взаємодії і параметр λD електрон-електронної взаємодії. Установлено, що зменшення концентрації електронів в δ-шарі супроводжується зменшенням параметра λD, що може бути пояснено особливостями процесів екранування в двовимірній електронній системі. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The temperature (from 1.5 to 2 К) and magnetic field (up to 4.5 Т) dependences of conductivity and Hall's emf have been studied in δ(Sb)-layers of Si with а different Hall's concentration of charge carriers. It is shown that these dependences can be described to а high degree of accuracy by the quantum corrections to conductivity associated with effects of weak localization of electron and electron—electron interaction in а two- dimensional system. The temperature dependence of electron phase relaxation time, the spin-orbit interaction time and the parameter λD of electron—electron interaction have been determined. It is found that decreasing coccentration of electron in а δ-layer involves а decrease in λD that mау be explained by the peculiarities of screening processes in а two-dimensional electronic system. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
uk_UA |
dc.title |
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Peculiarities of electronic properties of δ(Sb) layers in epitaxial Si. 2. Effects of weak localization and electron-electron interaction |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті