Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Венгер, Є.Ф. | |
| dc.contributor.author | Матвеєва, Л.О. | |
| dc.contributor.author | Колядіна, О.Ю. | |
| dc.contributor.author | Клименко, А.П. | |
| dc.date.accessioned | 2008-09-02T17:07:19Z | |
| dc.date.available | 2008-09-02T17:07:19Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.identifier.citation | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp. | en_US |
| dc.identifier.issn | 1025-6415 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/1747 | |
| dc.description.abstract | We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs. | en_US |
| dc.language.iso | uk | en_US |
| dc.publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України | en_US |
| dc.subject | Фізика | en_US |
| dc.title | Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.status | published earlier | en_US |
| dc.identifier.udc | 621.321.592 |
