Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП

dc.contributor.author	Сухаревский, Б.Я.
dc.contributor.author	Вилкова, И.В.
dc.date.accessioned	2021-01-27T19:36:54Z
dc.date.available	2021-01-27T19:36:54Z
dc.date.issued	1995
dc.identifier.citation	Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП / Б.Я. Сухаревский, И.В. Вилкова // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 9. — С. 899-905. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174783
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.title	Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП	uk_UA
dc.title.alternative	Critical temperature and limiting concentration of charge carriers in CuO₂ planes of copper-containing HTSC compounds	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	538.945