Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Гончаров, А.А. |
|
dc.contributor.author |
Добровольский, А.Н. |
|
dc.contributor.author |
Евсюков, А.Н. |
|
dc.contributor.author |
Проценко, И.М. |
|
dc.date.accessioned |
2011-02-25T11:22:51Z |
|
dc.date.available |
2011-02-25T11:22:51Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, А.Н. Евсюков, И.М. Проценко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17298 |
|
dc.description.abstract |
Предложено новое плазмооптическое устройство, представляющее собой элементарную плазмооптическую цилиндрическую ячейку с газовым разрядом магнетронного типа в режиме прямого магнетрона. Устройство может работать в высоковольтном слаботочном режиме и в сильноточном с генерацией плазменного факела. Получена скорость травления (100…150 нм/мин) в слаботочном режиме и на порядок больше в сильноточном. Плотность тока в факеле составляет до 3% от плотности тока разряда и плавающий потенциал − до 0,8 анодного потенциала. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Запропоновано новий плазмооптичний пристрій, що є елементарною плазмооптичною циліндричною коміркою з газовим розрядом магнетронного типу в режимі прямого магнетрону. Пристрій може працювати як у високовольтному режимі з малим струмом, так і в режимі з великим струмом з генерацією плазмового факелу. Отримано швидкість травлення 100…150 нм/хв у режимі з малим струмом і на порядок більше у режимі з великим струмом. Щільність струму у плазмовому факелі до 3% від густини струму розряду і плаваючий потенціал − до 0,8 анодного потенціалу. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
It is offered the new plasmaoptics device that are representing an elementary plasmaoptics cylindrical cell with the gas discharge of magnetron type in a mode of direct magnetron. Such device can work both in a high-voltage low-current mode and in high-current low-voltage with generation of a plasma torch. The measured rate of etching is about 100…150 nm/min in the low-current high-voltage discharge and on the order rises in high-current mode. Density of torch current up to 3% from density of discharge current and the floating potential up to 0,8 from the anode potential are formed. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.subject |
Нерелятивистская электроника |
uk_UA |
dc.title |
Элементарная плазмооптическая ячейка в режиме прямого магнетрона |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Елементарна плазмооптична комірка в режимі прямого магнетрона |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Elementary plasmaoptics cell in a mode of direct magnetron |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
533.9 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті