Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами

Abstract

В настоящей работе исследованы переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке. Рассмотрены вопросы задержки пробоя газового разряда в импульсном режиме работы ячейки и электростатические явления переходных процессов. Установлено, что время задержки пробоя зависит от интенсивности освещения полупроводника, длительности и величины импульса напряжения, а также состояния поверхностного заряда, то есть напряженности поля поверхностных зарядов.

У роботі досліджені перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці. Розглянуто питання затримки пробою газового розряду в імпульсному режимі роботи комірки та електростатичні явища перехідних процесів. Встановлено, що час затримки пробою залежить від інтенсивності освітлення напівпровідника, тривалості та величини імпульсу напруги, а також стану поверхневого заряду, тобто напруженості поля поверхневих зарядів.

In this paper, transient photoelectric processes in a hyperfine gas-discharge cell were investigated. The issues of delay of the gas discharge breakdown in the pulsed mode of the cell operation and the electrostatic phenomena of the transient processes are considered. It is established that the breakdown delay time depends on the semiconductor illumination intensity, the duration and magnitude of the voltage pulse, and also the state of the surface charge, that is, the field strength of the surface charges.