Ионное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика и техника высоких давлений
→
Физика и техника высоких давлений, 2004 (том 14)
→
Физика и техника высоких давлений, 2004, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Кривошеев, Я.М.
dc.contributor.author	Петренко, А.Г.
dc.date.accessioned	2020-04-21T13:06:42Z
dc.date.available	2020-04-21T13:06:42Z
dc.date.issued	2004
dc.identifier.citation	Ионное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров / Я.М. Кривошеев, А.Г. Петренко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 37-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0868-5924
dc.identifier.other	РACS: 61.72.−y, 73.61.Ga
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168081
dc.description.abstract	Методом низкоэнергетичного ионного легирования исследованы процессы преобразования в люминофоре ZnS‹Cu›, проведен анализ произошедших изменений в спектрах отражения, поглощения, термостимулированной люминесценции (ТСЛ), фотолюминесценции (ФЛ)	uk_UA
dc.description.abstract	The method of low-energy ion implantation has been used to investigate processes of transformation in phosphor ZnS‹Cu›, changes in spectra of reflection, absorption, termostimulated luminescence (TSL), photoluminescence (PL) have been analysed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика и техника высоких давлений
dc.title	Ионное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров	uk_UA
dc.title.alternative	Іонне легування як спосіб контролю оптичних властивостей деяких люмінофорів	uk_UA
dc.title.alternative	Ion implantation as a way of controlling optical properties of some phosphors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA