Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов

Abstract

Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов.

An arrangement allowing to investigate microplasticity of diamond-like semiconductors was designed. At the temperature 300 K this is attained by taking off σ−ε or ε−t curves. In the interval 77–300 K, origin of dislocations in the single crystal subsurface layers can be registered according to changes of electric conductivity, charge carrier life-time in the samples or semiconductor p−n junction reverse current.